一種用于評價硅基背封膜致密性的裝置和方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201711370681.0 申請日 -
公開（公告）號 CN109932337B 公開（公告）日 2021-08-03
申請公布號 CN109932337B 申請公布日 2021-08-03
分類號 G01N21/41（2006.01）I;G01N27/00（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 徐繼平;魯進軍;寧永鐸;劉斌;曲翔;劉浩懿;史訓(xùn)達;張亮 申請（專利權(quán)）人 有研半導(dǎo)體硅材料股份公司
代理機構(gòu) 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 101300北京市順義區(qū)林河工業(yè)開發(fā)區(qū)雙河路南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種用于評價硅基背封膜致密性的裝置和方法。該裝置包括：24V電源、漏點檢測槽、檢測電解質(zhì)、檢測電極和矩形連接電極；其中，24V電源的正極和負極分別通過導(dǎo)線與檢測電極和矩形連接電極相連接；檢測電極和矩形連接電極置于漏點檢測槽中，硅基背封膜待測樣品的正面與矩形連接電極相連；檢測電極位于硅基背封膜待測樣品上方。方法包括：（1）測試待測樣品背封膜的折射率；（2）將樣品正面薄膜去除，與矩形電極相連；（3）將連接好電極的樣品平放于電解質(zhì)中；（4）打開電源，用檢測電極檢漏；（5）測試整個面的漏點數(shù)；（6）測試漏電和良率。本發(fā)明不受制備工藝限制，應(yīng)用廣泛，填補了硅基二氧化硅背封膜致密性檢測的空白。