一種12英寸硅拋光片加工的工藝方法
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN201911280084.8 | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN112967922A | 公開(公告)日 | 2021-06-15 |
申請公布號 | CN112967922A | 申請公布日 | 2021-06-15 |
分類號 | H01L21/02 | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 陳海濱;閆志瑞;庫黎明;朱秦發(fā);蘇冰 | 申請(專利權(quán))人 | 有研半導(dǎo)體硅材料股份公司 |
代理機構(gòu) | 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人 | 劉秀青 |
地址 | 101300 北京市順義區(qū)林河工業(yè)開發(fā)區(qū)雙河路南側(cè) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種12英寸硅拋光片加工的工藝方法。該工藝方法包括以下步驟:(1)將雙面拋光好的12英寸硅片進行NOTCH拋光并進行邊緣拋光,然后放入片盒里,片盒放入盛有純水的常溫水槽里;(2)將裝有硅片的片盒放入1號液清洗,然后放入2號液清洗;1號液的成分組成為:氨水∶雙氧水∶純水=1∶1∶5~1∶5∶10(體積比),2號液的成分組成為:鹽酸∶雙氧水∶純水=1∶1∶5~1∶5∶10(體積比);(3)將清洗完的裝有硅片的片盒放入溫水的水槽里,然后緩慢往上提拉達到干燥的目的。采用本發(fā)明的工藝方法可以制造表面顆粒和金屬含量低的12英寸硅片,有利于該12英寸硅片精拋后表面顆粒和金屬的降低。 |
