一種硅電極加工的工藝方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911254218.9 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN112928006A 公開（公告）日 2021-06-08
申請(qǐng)公布號(hào) CN112928006A 申請(qǐng)公布日 2021-06-08
分類號(hào) H01J37/317;H01J37/04 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 陳海濱;閆志瑞;庫黎明;朱秦發(fā);蘇冰 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 有研半導(dǎo)體硅材料股份公司
代理機(jī)構(gòu) 北京北新智誠知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 101300 北京市順義區(qū)林河工業(yè)開發(fā)區(qū)雙河路南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種硅電極加工的工藝方法。該工藝方法包括以下步驟：（1）將從加工中心加工好的硅電極進(jìn)行超聲清洗、烘干，然后將硅電極放在雙面拋光機(jī)的游輪片上進(jìn)行第一次拋光；（2）將拋光完的硅電極進(jìn)行超聲清洗、烘干，然后用夾具裝硅電極放入盛有混酸的腐蝕槽進(jìn)行腐蝕，混酸的配比為：氫氟酸45％?65％∶硝酸45％?65％∶冰醋酸98％＝50％?70％∶10％?30％∶10％?20％；（3）將腐蝕完的硅電極超聲清洗、烘干，然后將硅電極放在雙面拋光機(jī)的游輪片上進(jìn)行第二次拋光；（4）將拋光完的硅電極進(jìn)行超聲清洗、HF酸洗、烘干。采用本發(fā)明的工藝方法可以制造導(dǎo)氣孔直徑一致性很高的硅電極，該硅電極的離子注入精度很好。