一種區(qū)熔硅單晶的收尾方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201911262992.4 申請日 -
公開（公告）號 CN112941615A 公開（公告）日 2021-06-11
申請公布號 CN112941615A 申請公布日 2021-06-11
分類號 C30B13/28;C30B29/06 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 尚銳剛;王永濤;白杜鵑;劉建濤;崔彬;閆志瑞;高源;李明飛;聶飛 申請（專利權(quán)）人 有研半導(dǎo)體硅材料股份公司
代理機(jī)構(gòu) 北京北新智誠知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 101300 北京市順義區(qū)林河工業(yè)開發(fā)區(qū)雙河路南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種區(qū)熔硅單晶的收尾方法，包括以下步驟：（1）當(dāng)多晶尾料剩余10kg時，繼續(xù)保持等徑生長，直至多晶尾料剩余2kg時，均勻降低多晶尾料速度直至多晶尾料速度歸零后快速提斷，晶體拉速和加熱功率保持不變，此過程單晶直徑將緩慢減?。唬?）當(dāng)多晶尾料提斷后，保持多晶尾料向提拉的方向移動，開啟自動程序控制加熱功率曲線和晶體拉速曲線，功率曲線先均勻快速地下降至初始功率值的75％?85％，再緩慢均勻增加，最高不超過初始功率值；晶體拉速勻速降低至0，直至單晶熔體完全結(jié)晶后停爐冷卻即可。本發(fā)明的方法可將單晶尾部損失降低至8kg以下。通過此方法收尾成功率大幅提升，可達(dá)90％以上，綜合收率提高10％以上。