一種改善硅拋光片表面粗糙度的拋光方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911280083.3 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN112975578A 公開(kāi)（公告）日 2021-06-18
申請(qǐng)公布號(hào) CN112975578A 申請(qǐng)公布日 2021-06-18
分類號(hào) B24B1/00;H01L21/306 分類 磨削；拋光;
發(fā)明人 路一辰;李俊峰;潘紫龍;王玥;王新 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 有研半導(dǎo)體硅材料股份公司
代理機(jī)構(gòu) 北京北新智誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 劉秀青
地址 101300 北京市順義區(qū)林河工業(yè)開(kāi)發(fā)區(qū)雙河路南側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開(kāi)了一種改善硅拋光片表面粗糙度的拋光方法，該拋光方法包括以下步驟：（1）對(duì)硅片背面進(jìn)行噴蠟處理，將硅片貼在陶瓷板上；（2）將貼在陶瓷板上的硅片先進(jìn)行粗拋光；（3）將完成粗拋光的硅片進(jìn)行1、2號(hào)中拋光；（4）將完成中拋光的硅片進(jìn)行精拋光處理，該精拋光處理包括四個(gè)階段；（5）對(duì)完成拋光的硅片進(jìn)行取片處理，將硅片存放在含有0.5％?1％活性劑的水槽中，水槽溫度控制在16?18℃。本發(fā)明通過(guò)改善中拋和精拋拋光工藝和拋光后硅片存放處理，有效的改善了硅片表面粗糙度，提高后工序外延加工和器件加工的成品率。