一種具有均勻氣氛場的二維材料氣相沉積反應(yīng)室及反應(yīng)裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202220217480.7 申請日 -
公開（公告）號 CN216864379U 公開（公告）日 2022-07-01
申請公布號 CN216864379U 申請公布日 2022-07-01
分類號 C30B25/08（2006.01）I;C30B25/16（2006.01）I;C30B25/14（2006.01）I;C30B23/02（2006.01）I;C30B29/46（2006.01）I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 段曦東;宋蓉;李佳 申請（專利權(quán)）人 湖南大學(xué)
代理機構(gòu) 長沙市融智專利事務(wù)所（普通合伙） 代理人 -
地址 410082湖南省長沙市岳麓區(qū)麓山南路2號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型屬于氣相沉積設(shè)備領(lǐng)域，具體涉及一種具有均勻氣氛場的二維材料氣相沉積反應(yīng)室以及反應(yīng)裝置，其中氣相沉積反應(yīng)室，包括反應(yīng)管以及用于密封反應(yīng)管兩端的密封裝置A和密封裝置B；其中密封裝置A上帶有向反應(yīng)管供氣的進氣管；密封裝置B設(shè)置有輸出反應(yīng)管中氣體的排氣管；所述的反應(yīng)管中設(shè)置有溫控區(qū)以及將溫控區(qū)分割成原料揮發(fā)區(qū)和沉積區(qū)的多孔噴淋頭；所述的多孔噴淋頭設(shè)置有若干貫穿原料揮發(fā)區(qū)和沉積區(qū)的通孔；所述的原料揮發(fā)區(qū)為位于密封裝置A側(cè)的溫控區(qū)，所述的沉積區(qū)為位于密封裝置B側(cè)的溫控區(qū)；所述的揮發(fā)區(qū)設(shè)置有攪拌裝置，沉積區(qū)設(shè)置有基底承托裝置；所述的進氣管包括載氣管和原料控氣管。本實用新型結(jié)構(gòu)能夠改善氣氛穩(wěn)定，改善材料的制備效果。