一種鋁基碳化硅高密度封裝半導(dǎo)體復(fù)合材料及其制備方法
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN202010128507.0 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN111218626A | 公開（公告）日 | 2020-06-02 |
| 申請公布號 | CN111218626A | 申請公布日 | 2020-06-02 |
| 分類號 | C22C47/14(2006.01)I | 分類 | 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理; |
| 發(fā)明人 | 田鵬 | 申請（專利權(quán)）人 | 江蘇時代華宜電子科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 214205江蘇省無錫市宜興市環(huán)科園岳東路 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 一種鋁基碳化硅高密度封裝半導(dǎo)體復(fù)合材料，以重量計，包括以下原料：鋁20～40份、鎂6～10份、碳化硅微粉15～19份、碳纖維增強(qiáng)體10～20份、鈦10～14份、鈮2～6份、鉑3～7份、鐵10～20份、銅10～14份；本發(fā)明的有益效果是在原料中加入了鈦、鈮、鉑和碳纖維增強(qiáng)體，從而使鋁基碳化硅高密度封裝半導(dǎo)體復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)強(qiáng)度更高，防止鋁基碳化硅高密度封裝半導(dǎo)體復(fù)合材料在使用時發(fā)生損壞。?? |
