非極性AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202011017651.3 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111916537A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-11-10 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111916537A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-11-10 |
| 分類號(hào) | H01L33/06(2010.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 高芳亮;楊金銘 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 深圳市三航工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市精英專利事務(wù)所 | 代理人 | 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司;深圳市三航工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 地址 | 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號(hào)西北工業(yè)大學(xué)三航科技大廈16層1611 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了非極性AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法，所述非極性AlGaN基深紫外LED外延片包括：生長(zhǎng)在r面藍(lán)寶石襯底上的低溫AlN層、生長(zhǎng)在所述低溫AlN層上的高溫AlN層、生長(zhǎng)在所述高溫AlN層上的非摻雜a面AlGaN緩沖層、生長(zhǎng)在所述非摻雜a面AlGaN層上的n型摻雜a面AlGaN層、生長(zhǎng)在所述n型摻雜a面AlGaN層上的a面AlGaN多量子阱層、生長(zhǎng)在所述a面AlGaN多量子阱層上的電子阻擋層、生長(zhǎng)在所述電子阻擋層上的p型摻雜AlGaN薄膜，本發(fā)明所制備的非極性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、結(jié)晶質(zhì)量好，電學(xué)、光學(xué)性能佳。?? |
