非極性AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011017651.3 申請日 -
公開（公告）號 CN111916537A 公開（公告）日 2020-11-10
申請公布號 CN111916537A 申請公布日 2020-11-10
分類號 H01L33/06(2010.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 高芳亮;楊金銘 申請（專利權(quán)）人 深圳市三航工業(yè)技術(shù)研究院
代理機構(gòu) 深圳市精英專利事務(wù)所 代理人 深圳市昂德環(huán)球科技有限公司;深圳市三航工業(yè)技術(shù)研究院
地址 518000廣東省深圳市南山區(qū)粵海街道高新區(qū)社區(qū)高新南九道45號西北工業(yè)大學三航科技大廈16層1611
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了非極性AlGaN基深紫外LED外延片及制備方法，所述非極性AlGaN基深紫外LED外延片包括：生長在r面藍寶石襯底上的低溫AlN層、生長在所述低溫AlN層上的高溫AlN層、生長在所述高溫AlN層上的非摻雜a面AlGaN緩沖層、生長在所述非摻雜a面AlGaN層上的n型摻雜a面AlGaN層、生長在所述n型摻雜a面AlGaN層上的a面AlGaN多量子阱層、生長在所述a面AlGaN多量子阱層上的電子阻擋層、生長在所述電子阻擋層上的p型摻雜AlGaN薄膜，本發(fā)明所制備的非極性AlGaN基深紫外LED外延片缺陷密度低、結(jié)晶質(zhì)量好，電學、光學性能佳。??