一種衰減型高均勻的相移光掩膜坯料及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011400325.0 申請日 -
公開（公告）號 CN112666789A 公開（公告）日 2021-04-16
申請公布號 CN112666789A 申請公布日 2021-04-16
分類號 G03F1/32;G03F1/46;G03F1/44;C23C14/35;C23C14/10;C23C14/06 分類 攝影術；電影術；利用了光波以外其他波的類似技術；電記錄術；全息攝影術〔4〕;
發(fā)明人 徐根;李翼;李偉;周志剛;楊旭 申請（專利權(quán)）人 湖南普照信息材料有限公司
代理機構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊威
地址 410205 湖南省長沙市岳麓區(qū)麓楓路40號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種衰減型高均勻的相移光掩膜坯料，包括：玻璃基片；復合在所述玻璃基片上的相移層；復合在所述相移層上的鉻氮化物遮光膜層；復合在所述鉻氮化物遮光膜層上的鉻氮氧化物減反射膜層；所述相移層為硅氧化物薄膜。與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明提供的衰減型高均勻的相移光掩膜坯料采用特定膜結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)較好的整體相互作用，從而使該相移光掩膜坯料兼具高均勻性和良好的顯示效果，并且具有強的耐氫氟酸性，應用范圍廣。