太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610645274.5 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN106048720B | 公開(kāi)（公告）日 | 2018-10-12 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106048720B | 申請(qǐng)公布日 | 2018-10-12 |
| 分類號(hào) | C30B29/06;C30B28/06;B28D5/00;H01L31/18 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 王勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 浙江恒都光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 嘉興海創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 鄭文濤 |
| 地址 | 314416 浙江省嘉興市海寧市袁花工業(yè)園區(qū)袁溪路118號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開(kāi)了太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片的制備方法，在鑄錠爐兩側(cè)加熱器下方設(shè)置隔熱條；將硅原料裝入石英坩堝內(nèi)，把石英坩堝送進(jìn)鑄錠爐；調(diào)節(jié)加熱器溫度為1400?1460℃，調(diào)節(jié)隔熱底板的開(kāi)度在4?8cm，制得多晶硅；對(duì)多晶硅采用雙向切割工藝、砂漿回流處理、過(guò)濾分離后制得回流多晶硅，將回流多晶硅與去離子水混合后形成混合溶液，經(jīng)霧化、噴涂到坩堝的內(nèi)壁上，干燥后即為太陽(yáng)能級(jí)多晶硅片。本發(fā)明降低產(chǎn)品孿晶的界面能，提供轉(zhuǎn)化效率的穩(wěn)定性，使整錠硅片的平均電池效率達(dá)到17.7％以上，減少環(huán)境污染，又可降低生產(chǎn)成本，提高硅錠的成晶率。 |
