冶金級高效多晶硅片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610645967.4 申請日 -
公開（公告）號 CN106283185B 公開（公告）日 2018-10-12
申請公布號 CN106283185B 申請公布日 2018-10-12
分類號 C30B29/06;C30B28/06;C01B32/956;C01B33/18 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王勇 申請（專利權(quán)）人 浙江恒都光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興海創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭文濤
地址 314416 浙江省嘉興市海寧市袁花工業(yè)園區(qū)袁溪路118號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了冶金級高效多晶硅片的制備方法，將冶金硅、添加劑和硼的固化劑混合后置入爐膛中，抽真空，充入氬氣，爐膛升溫，使冶金硅熔化為硅熔體，保持硅熔體溫度在900?1000℃，恒溫熔煉3.5?4.5h；爐膛內(nèi)抽真空，硅熔體溫度保持在900?1000℃，并在氬等離子體流量為280?320ml/min，真空熔煉0.3?0.8h；爐膛抽真空，同時調(diào)整硅熔體溫度到1400?1500℃，保溫并靜置、降溫至室溫得到硅錠；再經(jīng)過切割、表面清洗，即得冶金級高效多晶硅片。本發(fā)明通過高效冶金硅片轉(zhuǎn)換效率提升技術(shù)，通過高還原性添加劑和硼的固化劑，并延長固化時間，保證產(chǎn)品能達(dá)到99.999％，提高少子壽命，降低生產(chǎn)成本。