高純度多晶硅片的制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201610652406.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN106350865B 公開（公告）日 2018-11-02
申請公布號(hào) CN106350865B 申請公布日 2018-11-02
分類號(hào) C30B28/04;C30B29/06;C30B33/00 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 王勇 申請（專利權(quán)）人 浙江恒都光電科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 嘉興海創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 鄭文濤
地址 314416 浙江省嘉興市海寧市袁花工業(yè)園區(qū)袁溪路118號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了高純度多晶硅片的制備方法，將硅料置入高溫熔爐中，在無塵環(huán)境下加熱至1300?1380℃，保持高溫熔爐爐底的硅料不熔化，制得多晶硅；將多晶硅進(jìn)行切割，對切割后的多晶硅利用清洗劑進(jìn)行表面清洗處理，其中，清洗劑按照重量份的原料包括：表面活性劑40?50份、螯合劑22?30份；向清洗后的多晶硅中加入添加劑和硼的固化劑，并在700?800℃的溫度下處理10min，清理后制得高純度多晶硅片。本發(fā)明能有效地去除現(xiàn)有工藝難以去除的、影響太陽能電池材料中少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的硼等關(guān)鍵性雜質(zhì)元素，使提純后的多晶硅片的B濃度低于1ppm，提高多晶硅片的轉(zhuǎn)化效率，使產(chǎn)品達(dá)到高純多晶硅片99.9999％，保證產(chǎn)品合格率，同時(shí)降低生產(chǎn)成本。