高純度多晶硅片的制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201610652406.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN106350865A | 公開（公告）日 | 2017-01-25 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN106350865A | 申請(qǐng)公布日 | 2017-01-25 |
| 分類號(hào) | C30B28/04;C30B29/06;C30B33/00 | 分類 | 晶體生長(zhǎng)〔3〕; |
| 發(fā)明人 | 王勇 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 浙江恒都光電科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 嘉興海創(chuàng)專利代理事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 鄭文濤 |
| 地址 | 314416 浙江省嘉興市海寧市袁花工業(yè)園區(qū)袁溪路118號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明公開了高純度多晶硅片的制備方法，將硅料置入高溫熔爐中，在無塵環(huán)境下加熱至1300?1380℃，保持高溫熔爐爐底的硅料不熔化，制得多晶硅；將多晶硅進(jìn)行切割，對(duì)切割后的多晶硅利用清洗劑進(jìn)行表面清洗處理，其中，清洗劑按照重量份的原料包括：表面活性劑40?50份、螯合劑22?30份；向清洗后的多晶硅中加入添加劑和硼的固化劑，并在700?800℃的溫度下處理10min，清理后制得高純度多晶硅片。本發(fā)明能有效地去除現(xiàn)有工藝難以去除的、影響太陽能電池材料中少子壽命和轉(zhuǎn)化效率衰減的硼等關(guān)鍵性雜質(zhì)元素，使提純后的多晶硅片的B濃度低于1ppm，提高多晶硅片的轉(zhuǎn)化效率，使產(chǎn)品達(dá)到高純多晶硅片99.9999％，保證產(chǎn)品合格率，同時(shí)降低生產(chǎn)成本。 |
