半導(dǎo)體器件及其制作方法和芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110479821.8 申請日 -
公開（公告）號 CN113257734A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257734A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L21/762（2006.01）I;H01L21/324（2006.01）I;H01L27/092（2006.01）I;H01L21/8238（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李星毅;谷玲玲;魯艷春 申請（專利權(quán)）人 北?；菘瓢雽?dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 邢濤
地址 536000廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請公開了一種半導(dǎo)體器件及其制作方法和芯片，半導(dǎo)體器件的制作方法包括步驟：在硅襯底上依次形成氧化硅層和氮化硅層；蝕刻氧化硅層、氮化硅層和硅襯底形成多個淺溝槽；在所述淺溝槽內(nèi)形成厚度為200?300埃米的隔離氧化層；對所述淺溝槽進(jìn)行退火溫度為900?960攝氏度的退火處理；在所述淺溝槽內(nèi)填充隔離絕緣層，使所述隔離絕緣層的頂部高于所述氧化硅層，且所述隔離絕緣層將所述氧化硅層劃分為多個第一有源區(qū)和第二有源區(qū)；蝕刻掉所述氮化硅層；對所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)分別進(jìn)行離子注入，并在所述第一有源區(qū)和第二有源區(qū)中形成對應(yīng)的P型MOS管和N型MOS管。這樣能夠防止機(jī)臺中的重金屬離子擴(kuò)散到有源區(qū)和淺溝槽的交界處，從而避免了空洞的產(chǎn)生。