晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品、掩膜版以及光刻機(jī)
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110317708.X | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN113219799A | 公開(公告)日 | 2021-08-06 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN113219799A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-06 |
分類號(hào) | G03F9/00(2006.01)I | 分類 | 攝影術(shù);電影術(shù);利用了光波以外其他波的類似技術(shù);電記錄術(shù);全息攝影術(shù)〔4〕; |
發(fā)明人 | 潘鈣;王國(guó)峰;楊忠武 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 北?;菘瓢雽?dǎo)體科技有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所(普通合伙) | 代理人 | 邢濤 |
地址 | 536000廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大道東延線336號(hào)廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明提供了一種晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品、掩膜版以及光刻機(jī),所述晶圓半導(dǎo)體產(chǎn)品包括光學(xué)對(duì)準(zhǔn)場(chǎng)以及多個(gè)管芯曝光場(chǎng);所述光學(xué)對(duì)準(zhǔn)場(chǎng)包括至少一個(gè)光學(xué)對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記、至少一個(gè)第一精細(xì)對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記、以及多個(gè)管芯;其中,所述光學(xué)對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記的對(duì)位精度低于所述精細(xì)對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記的對(duì)位精度,所述管芯與所述光學(xué)對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記之間間距不小于一預(yù)設(shè)的安全距離。由于在光學(xué)對(duì)準(zhǔn)場(chǎng)內(nèi)除開對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記區(qū)域的空白區(qū)域內(nèi)也布置有效管芯,光學(xué)對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記與其相鄰的管芯之間間距不小于一預(yù)設(shè)的安全距離,這樣避免了管芯和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)目標(biāo)標(biāo)記的相互影響,在保證光學(xué)對(duì)準(zhǔn)場(chǎng)的對(duì)準(zhǔn)功能實(shí)現(xiàn)的前提下,提升了有效管芯的數(shù)量。 |
