擴散設備和擴散系統(tǒng)
基本信息
申請?zhí)?/td> | CN202110601929.X | 申請日 | - |
公開(公告)號 | CN113373522A | 公開(公告)日 | 2021-09-10 |
申請公布號 | CN113373522A | 申請公布日 | 2021-09-10 |
分類號 | C30B31/06(2006.01)I;C30B31/16(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/22(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I | 分類 | 晶體生長〔3〕; |
發(fā)明人 | 蔣新和;王國峰;任宏志 | 申請(專利權)人 | 北海惠科半導體科技有限公司 |
代理機構 | 深圳市百瑞專利商標事務所(普通合伙) | 代理人 | 邢濤 |
地址 | 536000廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室 | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本申請實施例公開了一種擴散設備和擴散系統(tǒng),用于對晶圓進行氧化沉積制程,其特征在于,包括:爐體、進氣口、出氣口和晶舟以及導流管,爐體內部中空結構;進氣口設置在所述爐體上,用于進氣;進氣口和出氣口分別位于爐體底部的兩側;晶舟設置在爐體內,用于承載晶圓;導流管設置在爐體內,導流管的一端與進氣口連接,另一端延伸至爐體的上部,導流管設置有第一開口,第一開口設置在導流管上,靠近爐體的上部;其中,擴散設備還設置有第二開口,對應晶舟的下部設置,將反應氣體導入到晶舟的下部。以使整個爐體都能迅速接觸到氣體參與反應,改善晶圓氧化沉積的均勻性。 |
