一種快恢復(fù)芯片的制造方法、制造設(shè)備和快恢復(fù)芯片
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202110351049.1 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN113223944A | 公開（公告）日 | 2021-08-06 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN113223944A | 申請(qǐng)公布日 | 2021-08-06 |
| 分類號(hào) | H01L21/265（2006.01）I;H01L21/329（2006.01）I;H01L29/861（2006.01）I;H01J37/317（2006.01）I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 王超;任宏志 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 北?；菘瓢雽?dǎo)體科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） | 代理人 | 邢濤 |
| 地址 | 266200山東省青島市即墨區(qū)北安街道辦事處太吉路1號(hào) | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)公開了一種快恢復(fù)芯片的制造方法、制造設(shè)備和快恢復(fù)芯片，所述制造方法包括步驟：使用磷源對(duì)硅片進(jìn)行磷擴(kuò)散，以在所述硅片的至少一面形成磷擴(kuò)散結(jié)構(gòu)層；去除所述硅片的其中一面的所述磷擴(kuò)散結(jié)構(gòu)層；使用硼源對(duì)所述硅片進(jìn)行硼擴(kuò)散，以在所述硅片去除所述磷擴(kuò)散結(jié)構(gòu)層的一面形成硼擴(kuò)散結(jié)構(gòu)層；通過所述硼擴(kuò)散結(jié)構(gòu)層的表面進(jìn)行鉑離子注入，以實(shí)現(xiàn)鉑擴(kuò)散；在一預(yù)設(shè)的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行鉑深擴(kuò)散；采用經(jīng)過所述鉑深擴(kuò)散后的硅片制備得到快恢復(fù)芯片；通過離子注入的方式進(jìn)行鉑擴(kuò)散，即注入鉑離子至硼擴(kuò)散結(jié)構(gòu)層，進(jìn)行鉑擴(kuò)散，使得鉑擴(kuò)散更加均勻，防止鉑分布不均勻破壞硅片的原來結(jié)構(gòu)，同時(shí)提高快恢復(fù)芯片的恢復(fù)特性。 |
