一種肖特基二極管及其制作方法和芯片

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110479822.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113257893A 公開（公告）日 2021-08-13
申請公布號 CN113257893A 申請公布日 2021-08-13
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/872（2006.01）I;H01L21/331（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張汝康;魯艷春 申請（專利權(quán)）人 北?；菘瓢雽?dǎo)體科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 深圳市百瑞專利商標(biāo)事務(wù)所（普通合伙） 代理人 邢濤
地址 536000廣西壯族自治區(qū)北海市工業(yè)園區(qū)北海大道東延線336號廣西惠科科技有限公司16幢三樓301室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種肖特基二極管及其制作方法和芯片，肖特基二極管包括襯底、勢壘層、二氧化硅層、阻擋層、緩沖層和電極層，所述勢壘層設(shè)置在所述襯底的表面，由金屬硅化物材料構(gòu)成；所述二氧化硅層設(shè)置在所述襯底上，位于所述勢壘層的兩側(cè)；所述阻擋層設(shè)置在所述二氧化硅層和勢壘層上，由TaN材料構(gòu)成；所述緩沖層設(shè)置在所述阻擋層上，由Ta材料構(gòu)成；所述電極層設(shè)置在所述緩沖層上。通過在勢壘層和電極之間設(shè)置由TaN材料構(gòu)成的阻擋層和由Ta材料構(gòu)成緩沖層，使得在高溫條件下，不易形成勢壘層和電極層之間的擴(kuò)散通道，防止勢壘層和電極層之間的粒子擴(kuò)散，避免影響勢壘高度并導(dǎo)致電極電阻升高的問題。