一種半導(dǎo)體器件終端環(huán)的拐角結(jié)構(gòu)、制造工藝及光掩膜板

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201410324369.8 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN104134687A 公開（公告）日 2014-11-05
申請(qǐng)公布號(hào) CN104134687A 申請(qǐng)公布日 2014-11-05
分類號(hào) H01L29/06(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡浩 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 成都星芯微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊春
地址 610207 四川省成都市雙流縣西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件終端環(huán)的拐角結(jié)構(gòu)，以終端環(huán)的圓心為中心，弧形拐角部位由內(nèi)向外分為多個(gè)摻雜濃度由內(nèi)而外逐漸減小的弧形條狀區(qū)域。本發(fā)明還公開了一種拐角結(jié)構(gòu)的制造工藝，包括旋涂光刻膠，并使用以下光掩膜板進(jìn)行曝光、顯影：以光掩膜板的中點(diǎn)為中心，光掩膜板的弧形拐角部位的透光區(qū)面積由內(nèi)而外逐漸減小；通過P型或N型雜質(zhì)注入形成摻雜；高溫氧化推結(jié)；通過N型或P型注入形成場(chǎng)截止環(huán)；形成場(chǎng)板。本發(fā)明還公開了一種用于半導(dǎo)體器件終端環(huán)制造的光掩膜板，包括弧形拐角部位，以光掩膜板的中點(diǎn)為中心，弧形拐角部位的透光區(qū)面積由內(nèi)而外逐漸減小。本半導(dǎo)體器件終端環(huán)拐角部位的摻雜濃度逐漸變化，實(shí)現(xiàn)平滑過渡，提高耐壓性能。