一種半導(dǎo)體器件終端的平邊結(jié)構(gòu)、制造工藝及光掩膜板

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201410326054.7 申請日 -
公開（公告）號 CN104112770A 公開（公告）日 2014-10-22
申請公布號 CN104112770A 申請公布日 2014-10-22
分類號 H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;G03F1/00(2012.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 胡浩 申請（專利權(quán)）人 成都星芯微電子科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京天奇智新知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 楊春
地址 610207 四川省成都市雙流縣西南航空港經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)園區(qū)內(nèi)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種半導(dǎo)體器件終端的平邊結(jié)構(gòu)，以終端的平邊的中點(diǎn)為中心，平邊設(shè)有中心區(qū)域和位于中心區(qū)域兩端以外的摻雜濃度由內(nèi)而外依次降低的多個周邊區(qū)域。本發(fā)明還公開了一種平邊結(jié)構(gòu)的制造工藝，包括旋涂光刻膠，并使用以下光掩膜板進(jìn)行曝光、顯影：光掩膜板的中心區(qū)域兩端以外周邊區(qū)域的透光區(qū)面積由內(nèi)而外逐漸減?。煌ㄟ^N型或P型雜質(zhì)注入形成摻雜；高溫氧化推結(jié)；通過N型或P型注入形成場截止環(huán)；形成場板。本發(fā)明還公開了一種用于半導(dǎo)體器件終端制造的光掩膜板，其中心區(qū)域兩端以外周邊區(qū)域的透光區(qū)面積由內(nèi)而外逐漸減小。本發(fā)明通過將半導(dǎo)體器件終端的平邊由中間向兩邊逐漸降低摻雜濃度，能做到較短的終端長度或較低的導(dǎo)通電阻。