一種基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911086964.1 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN110797561A 公開（公告）日 2020-02-14
申請(qǐng)公布號(hào) CN110797561A 申請(qǐng)公布日 2020-02-14
分類號(hào) H01M8/1018;H01M8/1081;H01M8/1046 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 田文迪;王永霞;田丙倫;傅婧;喬錦麗 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 蘇州創(chuàng)明氫電材料科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州根號(hào)專利代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 項(xiàng)麗
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)興浦路333號(hào)納米城Ⅱ區(qū)納米健康產(chǎn)業(yè)園1號(hào)樓405室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：步驟S1、基膜材料的制備；步驟S2、碳量子點(diǎn)摻雜；步驟S3、澆注成膜。本發(fā)明還公開了根據(jù)所述基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜的制備方法制備得到的基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜。本發(fā)明公開的基于碳量子點(diǎn)的質(zhì)子交換膜具有更加優(yōu)異的氧化穩(wěn)定性和力學(xué)性能，更高的質(zhì)子傳導(dǎo)率。