一種有效釋放砷化鎵單晶結(jié)晶潛熱的方法及裝置

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910859372.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110438562B 公開（公告）日 2021-08-24
申請公布號 CN110438562B 申請公布日 2021-08-24
分類號 C30B15/20;C30B29/42 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 易明輝;韓家賢 申請（專利權(quán)）人 廣東先導(dǎo)先進(jìn)材料股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 顏希文
地址 511517 廣東省清遠(yuǎn)市高新區(qū)百嘉工業(yè)園27-9號B區(qū)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種有效釋放砷化鎵單晶結(jié)晶潛熱的方法及裝置。所述裝置包括石英安瓿瓶、支撐底座和支撐平臺(tái)；所述石英安瓿瓶置于支撐底座上端，支撐底座放置在支撐平臺(tái)上，并與支撐平臺(tái)固定連接；所述支撐底座內(nèi)設(shè)有爐芯，爐芯設(shè)有散熱棒，且散熱棒插入爐芯內(nèi)，并與支撐平臺(tái)可拆卸連接，裝爐時(shí)散熱棒的上端與石英安瓿瓶的下端瓶口保持距離，散熱棒向上運(yùn)動(dòng)時(shí)與石英安瓿瓶的下端瓶口接觸。在等徑生長階段，等徑生長至50mm時(shí)，利用散熱棒向上與石英安瓿瓶的下端瓶口接觸，利用散熱棒通過熱輻射和熱傳導(dǎo)的方式將結(jié)晶潛熱多余的熱量緩慢放出，晶體生長完成后，無需再進(jìn)行原位退火來減小晶體的熱應(yīng)力。