半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110887343.4 申請日 -
公開（公告）號 CN113410285A 公開（公告）日 2021-09-17
申請公布號 CN113410285A 申請公布日 2021-09-17
分類號 H01L29/06（2006.01）I;H01L29/20（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I;H01L29/423（2006.01）I;H01L29/778（2006.01）I;H01L21/335（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪賢鋒;范謙;崔瑩 申請（專利權(quán)）人 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)長陽街259號鐘園工業(yè)坊B0-1F西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體器件，包括：依次堆疊的襯底、緩沖層、溝道層、第一勢壘層、刻蝕阻擋層和第二勢壘層以及柵極、源極和漏極，其中，所述第二勢壘層具有n型摻雜且所述第二勢壘層中形成有凹槽，所述柵極位于所述凹槽的底壁上，所述源極和所述漏極位于所述第二勢壘層上。本發(fā)明還提供一種半導(dǎo)體器件的制備方法。本發(fā)明設(shè)置堆疊的第一勢壘層和n型摻雜的第二勢壘層，并且將所述柵極設(shè)置在所述凹槽中，將源極和漏極設(shè)置在所述第二勢壘層上，可以在降低柵極漏電流的同時，降低源極和漏極的接觸電阻以及大幅降低半導(dǎo)體器件的RF色散。