集成增強(qiáng)型與耗盡型場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811631597.4 申請日 -
公開（公告）號 CN109727918B 公開（公告）日 2020-05-19
申請公布號 CN109727918B 申請公布日 2020-05-19
分類號 H01L21/8234;H01L21/8236;H01L27/088 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范謙;倪賢鋒;何偉 申請（專利權(quán)）人 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)11幢303室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及集成增強(qiáng)型與耗盡型場效應(yīng)管結(jié)構(gòu)的制造方法，包括：提供襯底，在所述襯底上依次形成緩沖層和勢壘層；在所述勢壘層上形成光刻膠層，并在所述第一歐姆接觸區(qū)與第二歐姆接觸區(qū)之間的光刻膠層上形成垂直于柵極的多個凹槽；去除無光刻膠區(qū)域所對應(yīng)位置的勢壘層，形成鰭；在第一歐姆接觸區(qū)形成第一電極，在第二歐姆接觸區(qū)行形成第二電極，在第三歐姆接觸區(qū)上形成第三電極；在所述第一電極和第二電極之間的勢壘層上形成第一柵極，在所述第二電極和第三電極上的勢壘層上形成第二柵極。在本發(fā)明將增強(qiáng)型晶體管和耗盡型晶體管集成在一個場效應(yīng)管中，為實現(xiàn)單片集成高速數(shù)字/模擬混合信號射頻電路奠定了基礎(chǔ)。