垂直腔面發(fā)射激光器的制造方法及垂直腔面發(fā)射激光器
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010499463.2 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111600200A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-08-28 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111600200A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-08-28 |
| 分類號(hào) | H01S5/183(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 范謙;倪賢鋒;華斌;崔瑩 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | - | 代理人 | - |
| 地址 | 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號(hào)蘇州納米城西北區(qū)11幢303室 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明提供一種垂直腔面發(fā)射激光器的制造方法和垂直腔面發(fā)射激光器，所述垂直腔面發(fā)射激光器的制造方法包括：分別提供形成有介質(zhì)膜DBR和第一鍵合層的第一襯底以及形成有阻擋層、重?fù)诫s層、有源層、電流限制層、砷化物DBR的第二襯底；將第三襯底膠粘在砷化物DBR上；去除第二襯底和阻擋層；將重?fù)诫s層和介質(zhì)膜DBR鍵合；去除第三襯底；形成P型電極接觸結(jié)構(gòu)；形成N型電極接觸結(jié)構(gòu)。在第一襯底上直接生長(zhǎng)介質(zhì)膜DBR，在第二襯底上形成砷化物DBR，并采用鍵合工藝得到最終的VCSEL，這樣不僅提高了VCSEL的工作波長(zhǎng)范圍，也降低了外延工藝的難度，同時(shí)也降低了器件對(duì)外延均勻性的要求，提高了晶圓制程的良率。?? |
