垂直腔面發(fā)射激光器的制造方法及垂直腔面發(fā)射激光器

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010499463.2 申請日 -
公開（公告）號 CN111600200A 公開（公告）日 2020-08-28
申請公布號 CN111600200A 申請公布日 2020-08-28
分類號 H01S5/183(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范謙;倪賢鋒;華斌;崔瑩 申請（專利權(quán)）人 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)11幢303室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種垂直腔面發(fā)射激光器的制造方法和垂直腔面發(fā)射激光器，所述垂直腔面發(fā)射激光器的制造方法包括：分別提供形成有介質(zhì)膜DBR和第一鍵合層的第一襯底以及形成有阻擋層、重摻雜層、有源層、電流限制層、砷化物DBR的第二襯底；將第三襯底膠粘在砷化物DBR上；去除第二襯底和阻擋層；將重摻雜層和介質(zhì)膜DBR鍵合；去除第三襯底；形成P型電極接觸結(jié)構(gòu)；形成N型電極接觸結(jié)構(gòu)。在第一襯底上直接生長介質(zhì)膜DBR，在第二襯底上形成砷化物DBR，并采用鍵合工藝得到最終的VCSEL，這樣不僅提高了VCSEL的工作波長范圍，也降低了外延工藝的難度，同時也降低了器件對外延均勻性的要求，提高了晶圓制程的良率。??