金剛石基氮化鎵器件制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810667077.2 申請日 -
公開（公告）號 CN108598036B 公開（公告）日 2020-03-27
申請公布號 CN108598036B 申請公布日 2020-03-27
分類號 H01L21/683;H01L21/335;H01L29/778 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪賢鋒;范謙;何偉 申請（專利權(quán)）人 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)11幢303室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種金剛石基氮化鎵器件制造方法，包括：在襯底上生長氮化鎵緩沖層；在所述氮化鎵緩沖層上粘合臨時(shí)載片；去除所述襯底，并倒置形成的臨時(shí)載片?氮化鎵緩沖層結(jié)構(gòu)；在倒置后的氮化鎵緩沖層上形成介質(zhì)層；在所述介質(zhì)層上按預(yù)設(shè)圖案選擇性的生長金剛石形核層；所述金剛石形核層生長形成圖案化的金剛石層；去除所述臨時(shí)載片，并將形成的氮化鎵緩沖層?介質(zhì)層?金剛石層結(jié)構(gòu)倒置。綜上所示，本申請所提供的金剛石基的氮化鎵器件制造方法，通過形成圖案化的金剛石層，大幅降低金剛石與氮化鎵之間的應(yīng)力，從而降低大晶圓尺寸金剛石基氮化鎵器件的制造難度，有利于大晶圓尺寸金剛石基氮化鎵器件的產(chǎn)業(yè)化。