HEMT結(jié)構(gòu)及其制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910603666.9 申請日 -
公開（公告）號 CN110335894B 公開（公告）日 2020-05-12
申請公布號 CN110335894B 申請公布日 2020-05-12
分類號 H01L29/06;H01L29/778;H01L21/335 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 倪賢鋒;范謙;孫培浩;何偉 申請（專利權(quán)）人 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000 江蘇省蘇州市工業(yè)園區(qū)金雞湖大道99號蘇州納米城西北區(qū)11幢303室
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種HEMT結(jié)構(gòu)，包括：襯底；位于所述襯底上的帶有鐵摻雜的緩沖層；位于所述緩沖層上的摻雜控制層；位于所述摻雜控制層上的非故意摻雜層；以及依次位于所述非故意摻雜層上的溝道層和勢壘層。本申請所提出的HEMT結(jié)構(gòu)及其制造方法，通過引入摻雜控制層，增加摻雜元素的衰減速率，減小摻雜層的厚度，改善緩沖層的絕緣效果。