倒裝深紫外LED及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110841199.0 申請日 -
公開（公告）號 CN113555479A 公開（公告）日 2021-10-26
申請公布號 CN113555479A 申請公布日 2021-10-26
分類號 H01L33/22（2010.01）I;H01L33/44（2010.01）I;H01L33/00（2010.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 范謙;倪賢鋒;曹榮兵;崔瑩 申請（專利權(quán)）人 蘇州漢驊半導(dǎo)體有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市中國（江蘇）自由貿(mào)易試驗區(qū)蘇州片區(qū)蘇州工業(yè)園區(qū)長陽街259號鐘園工業(yè)坊B0-1F西側(cè)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種倒裝深紫外LED，包括：襯底、n型外延層、量子阱層和p型外延層、粗化種層、粗化結(jié)構(gòu)、蓋片層、反射層以及p型歐姆接觸和n型歐姆接觸。本發(fā)明中，在所述n型外延層、所述量子阱層和所述p型外延層的側(cè)壁上生長多晶的粗化種層，并且在所述粗化種層上繼續(xù)生長表面粗糙的粗化結(jié)構(gòu)，可以增加量子阱層側(cè)面的出光角度，減少倒裝深紫外LED側(cè)面光的全反射，并且在所述反射層的作用下，通過所述粗化種層和所述粗化結(jié)構(gòu)透出的光可以完全反射至所述蓋片層并出光，從而提高器件整體的出光效率。