多晶硅鑄錠設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201922485452.4 申請日 -
公開（公告）號 CN211734535U 公開（公告）日 2020-10-23
申請公布號 CN211734535U 申請公布日 2020-10-23
分類號 C30B35/00(2006.01)I 分類 晶體生長〔3〕;
發(fā)明人 周華;孔令珂;陶能松;黃福龍;張學(xué)日;吳純 申請（專利權(quán)）人 中材江蘇太陽能新材料有限公司
代理機構(gòu) 廣州三環(huán)專利商標代理有限公司 代理人 江西中材新材料有限公司;中材江蘇太陽能新材料有限公司;中材高新材料股份有限公司
地址 344000江西省新余市高新開發(fā)區(qū)賽維大道1859號
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本實用新型實施方式提供一種多晶硅鑄錠設(shè)備。所述多晶硅鑄錠設(shè)備包括坩堝、光源、及光線檢測裝置。所述坩堝具有收容腔，所述坩堝在所述收容腔的內(nèi)壁上附設(shè)有氮化硅涂層。所述光源及所述光線檢測裝置分別設(shè)置于收容腔的內(nèi)側(cè)和外側(cè)，或者分別設(shè)置于外側(cè)和內(nèi)側(cè)。所述光源朝所述氮化硅涂層發(fā)射初始光線，所述初始光線經(jīng)過所述氮化硅涂層后形成檢測光線，所述檢測光線傳導(dǎo)至所述光線檢測裝置。所述光線檢測裝置接收檢測光線，并根據(jù)所述檢測光線判斷所述氮化硅涂層的厚度是否滿足預(yù)設(shè)厚度。所述多晶硅鑄錠設(shè)備及多晶硅鑄錠方法檢測氮化硅涂層的厚度是否滿足預(yù)設(shè)厚度的精準度更高。??