一種面向超高溫工作環(huán)境下芯片測試的MEMS探針結(jié)構(gòu)

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202110051010.8 申請日 -
公開（公告）號 CN112858884B 公開（公告）日 2022-07-05
申請公布號 CN112858884B 申請公布日 2022-07-05
分類號 G01R31/28（2006.01）I;G01R1/073（2006.01）I 分類 測量；測試;
發(fā)明人 于海超 申請（專利權(quán)）人 強(qiáng)一半導(dǎo)體（蘇州）股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 215000江蘇省蘇州市蘇州工業(yè)園區(qū)東長路18號39幢2樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明一種面向超高溫工作環(huán)境下芯片測試的MEMS探針結(jié)構(gòu)屬于精密測試計量、微機(jī)電系統(tǒng)、IC芯片測試及探針卡技術(shù)領(lǐng)域；所述結(jié)構(gòu)從上到下依次設(shè)置PCB板、轉(zhuǎn)接板和復(fù)合探針頭結(jié)構(gòu)，復(fù)合探針頭結(jié)構(gòu)包括上導(dǎo)板，中間導(dǎo)板和下導(dǎo)板，探針穿過上導(dǎo)板和中間導(dǎo)板后，從下導(dǎo)板伸出；探針包括安裝在上導(dǎo)板的上部探針，穿過中間導(dǎo)板的中部探針和安裝在下導(dǎo)板的下部探針；上部探針和下部探針具有熱脹冷縮特性；中部探針具有熱縮冷脹特性；本發(fā)明作為面向超高溫工作環(huán)境下芯片測試的MEMS探針結(jié)構(gòu)及測試方法中的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，有利于確保超高溫工作環(huán)境下，大尺寸或多測試點(diǎn)芯片測試過程中，裸芯與探針之間有效接觸，進(jìn)而有利于對該芯片進(jìn)行測試。