一種真空環(huán)流熔態(tài)硅熱法煉鎂的方法及其設(shè)備

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201080000976.9 申請日 -
公開（公告）號 CN101999005A 公開（公告）日 2011-03-30
申請公布號 CN101999005A 申請公布日 2011-03-30
分類號 C22B26/22(2006.01)I 分類 冶金；黑色或有色金屬合金；合金或有色金屬的處理;
發(fā)明人 牛強;儲少軍 申請（專利權(quán)）人 盾安控股集團有限公司
代理機構(gòu) - 代理人 -
地址 100864 中國北京市西城區(qū)三里河路52號中國科學(xué)院院士工作局
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種真空環(huán)流熔態(tài)硅熱法煉鎂的方法及其設(shè)備，所述方法步驟包括：使溫度為1350～1600℃、含硅量為30％～65％的熔融液態(tài)硅鐵以及混合在其中的含有氧化鎂的鎂礦粉以環(huán)形流動的方式周期性地通過真空度為350Pa至10000Pa的容器；所述鎂礦粉中氧化鎂被上述熔融液態(tài)硅鐵中的硅還原生成鎂蒸氣；將鎂蒸氣冷凝為液態(tài)鎂并收集。所述設(shè)備包括真空容器、加熱容器、鎂礦粉投放裝置及鎂蒸氣收集裝置，所述真空容器底端分別伸出上升浸漬管和下降浸漬管，且上升浸漬管與下降浸漬管的下管口均浸沒于加熱容器所盛放的熔融液態(tài)硅鐵中，所述上升浸漬管的管壁還連通有氬氣吹管。