一種集成電路用單晶硅片堿腐蝕去除量的控制方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010258257.2 申請日 -
公開（公告）號 CN113496886A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號 CN113496886A 申請公布日 2021-10-12
分類號 H01L21/306（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 張俊寶;陳猛 申請（專利權）人 上海超硅半導體股份有限公司
代理機構 - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號附188
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供了一種集成電路用單晶硅片堿腐蝕去除量的控制方法，采用KOH配制堿腐蝕液；通過KOH腐蝕液濃度c，腐蝕溫度T，超聲波強度I和超聲波頻率f，來確定單晶硅片的堿腐蝕反應速率v；根據工序要求的堿腐蝕去除量D和腐蝕速度v，確定堿腐蝕所需要的理論時間te；根據理論時間te，確定實際腐蝕時間toperation，當實際腐蝕時間toperation在取值范圍之內時，很好地滿足工序生產時間和硅片質量的要求；當實際腐蝕時間toperation不在取值范圍之內時，調整工藝參數(shù)KOH腐蝕液濃度c和腐蝕溫度T，使實際腐蝕時間toperation在取值范圍之內；按照實際腐蝕時間toperation，采用所配KOH腐蝕液對單晶硅片進行腐蝕，對比實際腐蝕去除量Dget和工序要求的堿腐蝕去除量D，確認腐蝕控制效果。本發(fā)明可使二者的差值控制在5%之內。