一種外延基底用硅晶片之背面膜層及制造方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202010258297.7 申請日 -
公開（公告）號(hào) CN113496869A 公開（公告）日 2021-10-12
申請公布號(hào) CN113496869A 申請公布日 2021-10-12
分類號(hào) H01L21/02（2006.01）I;C23C16/24（2006.01）I;C23C16/40（2006.01）I;C23C16/455（2006.01）I;C23C16/458（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 李小艷;張俊寶;陳猛 申請（專利權(quán)）人 上海超硅半導(dǎo)體股份有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 -
地址 400714重慶市北碚區(qū)兩江新區(qū)云漢大道5號(hào)附188號(hào)
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明提供一種外延基底用硅晶片之背面膜層及制造方法。所述外延基底用硅晶片之背面膜層包括：雙層膜，所述雙層膜包括直接覆蓋在硅晶片背面上的第一層，以及第一層上覆蓋的第二層；所述外延基底用硅晶片之背面膜層的制造方法包括：步驟1，將硅晶片背面朝上裝爐后，采用三步低溫高速化學(xué)氣相沉積法生長第一層膜；步驟2，將經(jīng)步驟1后硅晶片正面（拋光面）朝上裝爐后，采用低壓化學(xué)氣相沉積法在第一層膜上生長第二層膜。本發(fā)明的優(yōu)勢在于：提高了雙層膜的膜厚均勻性，增強(qiáng)了背面膜的背封效果，解決了因硅晶片背面膜膜厚不均勻、晶舟印、顆粒等問題對所造成的鏡面拋光不良。