低成本高性能溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN202010351900.6 申請(qǐng)日 -
公開（公告）號(hào) CN111509035A 公開（公告）日 2020-08-07
申請(qǐng)公布號(hào) CN111509035A 申請(qǐng)公布日 2020-08-07
分類號(hào) H01L29/06;H01L21/331;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78 分類 -
發(fā)明人 楊飛;白玉明;張廣銀;吳凱;朱陽(yáng)軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京芯長(zhǎng)征科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 代理人 南京芯長(zhǎng)征科技有限公司
地址 211100 江蘇省南京市江寧區(qū)蘇源大道19號(hào)九龍湖國(guó)際企業(yè)總部園A2座(江寧開發(fā)區(qū))
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，尤其是一種低成本高性能溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，屬于溝槽型功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)領(lǐng)域。在襯底元胞第二溝槽與終端區(qū)間設(shè)置至少一個(gè)襯底第二導(dǎo)電類型注入?yún)^(qū)后，能防止耐壓時(shí)在襯底元胞第二溝槽的槽底發(fā)生擊穿，充分增加終端區(qū)的耐壓，能降低襯底終端第二導(dǎo)電類型體區(qū)的結(jié)深要求，提高設(shè)計(jì)的自由度，使得功率半導(dǎo)體器件具有更高的擊穿電壓和可靠性，或者在相同的擊穿電壓下，可以進(jìn)一步減少器件的面積，降低成本，同時(shí)提高功率半導(dǎo)體器件的可靠性。