NMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201810017844.5 申請日 -
公開（公告）號 CN108133955B 公開（公告）日 2020-07-03
申請公布號 CN108133955B 申請公布日 2020-07-03
分類號 H01L29/06;H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 分類 -
發(fā)明人 孟靜 申請（專利權(quán)）人 南京芯長征科技有限公司
代理機構(gòu) 北京智行陽光知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所（普通合伙） 代理人 孟靜;南京芯長征科技有限公司
地址 211100 江蘇省南京市江寧區(qū)蘇源大道19號九龍湖國際企業(yè)總部園A2座(江寧開發(fā)區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種NMOS晶體管結(jié)構(gòu)及其形成方法，涉及基本電子元器件技術(shù)領(lǐng)域。所述晶體管包括襯底、柵極結(jié)構(gòu)、溝道區(qū)以及源、漏區(qū)，該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)還包括球形阻斷裝置，以及位于襯底與溝道區(qū)界面處、襯底與源、漏區(qū)界面處的含碳材料層，其中所述球形阻斷裝置設(shè)置于襯底中且位于所述源、漏區(qū)和所述溝道區(qū)下方，所述球形阻斷裝置為空腔或填充有絕緣介質(zhì)，所述含碳材料層位于溝道區(qū)下方的位置中碳、硅原子重量比為1：（0.7?2.4），形成的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)漏電流顯著降低，電學(xué)性能得到明顯提升，并且本發(fā)明中形成該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法工藝簡單，成本低廉，引入雜質(zhì)少，能夠進一步改善半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的性能。