低EMI深溝槽隔離溝槽型功率半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910932285.5 申請日 -
公開（公告）號 CN110600454B 公開（公告）日 2021-03-23
申請公布號 CN110600454B 申請公布日 2021-03-23
分類號 H01L29/739(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/552(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/331(2006.01)I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 白玉明;楊飛;吳凱;張廣銀;朱陽軍 申請（專利權）人 南京芯長征科技有限公司
代理機構 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 王麗
地址 211100江蘇省南京市蘇源大道19號九龍湖國際企業(yè)總部園A2座（江寧開發(fā)區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種功率半導體器件及其制備方法，尤其是一種低EMI深溝槽隔離溝槽型功率半導體器件及其制備方法，屬于功率半導體器件的技術領域。本發(fā)明用終端通孔隔離取代現(xiàn)有場限環(huán)終端結構，終端面積顯著降低，降低芯片成本，提高芯片電流密度。將柵極金屬和背面電極結構放置在半導體襯底的背面，源極金屬位于半導體襯底的正面，封裝時，將源極金屬焊接在封裝基板上，柵極金屬和漏極金屬通過打線引出。由于源極金屬是處于低電位，因此，封裝基板點位保持為低電位，封裝基板向外發(fā)射電磁場的效應基本被消除，EMI干擾降低。??