低EMI深溝槽隔離溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> PCT/CN2020/112957 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) WO2021057415A1 公開(kāi)（公告）日 2021-04-01
申請(qǐng)公布號(hào) WO2021057415A1 申請(qǐng)公布日 2021-04-01
分類號(hào) H01L23/552 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 BAI, YUMING;白玉明;YANG, FEI;楊飛;WU, KAI;吳凱;ZHANG, GUANGYIN;張廣銀;ZHU, YANGJUN;朱陽(yáng)軍 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 南京芯長(zhǎng)征科技有限公司
代理機(jī)構(gòu) - 代理人 SUZHOU GUOCHENG PATENT AGENCY CO., LTD;蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司
地址 Building A2, Jiulonghu International Enterprise Headquarters Park,No.19 Suyuan Road, Jiangning District (Jiangning Development Zone),Nanjing, Jiangsu 211100 CN
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，尤其是一種低EMI深溝槽隔離溝槽型功率半導(dǎo)體器件及其制備方法，屬于功率半導(dǎo)體器件的技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明用終端通孔隔離取代現(xiàn)有場(chǎng)限環(huán)終端結(jié)構(gòu)，終端面積顯著降低，降低芯片成本，提高芯片電流密度。將柵極金屬和背面電極結(jié)構(gòu)放置在半導(dǎo)體襯底的背面，源極金屬位于半導(dǎo)體襯底的正面，封裝時(shí)，將源極金屬焊接在封裝基板上，柵極金屬和漏極金屬通過(guò)打線引出。由于源極金屬是處于低電位，因此，封裝基板點(diǎn)位保持為低電位，封裝基板向外發(fā)射電磁場(chǎng)的效應(yīng)基本被消除，EMI干擾降低。