低成本高可靠性的功率半導體器件及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201910729788.2 申請日 -
公開（公告）號 CN110444583A 公開（公告）日 2019-11-12
申請公布號 CN110444583A 申請公布日 2019-11-12
分類號 H01L29/06（2006.01）I; H01L29/739（2006.01）I; H01L29/78（2006.01）I; H01L21/331（2006.01）I; H01L21/336（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 楊飛; 白玉明; 吳凱; 朱陽軍 申請（專利權）人 南京芯長征科技有限公司
代理機構 蘇州國誠專利代理有限公司 代理人 南京芯長征科技有限公司
地址 211100 江蘇省南京市蘇源大道19號九龍湖國際企業(yè)總部園A2座（江寧開發(fā)區(qū)）
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種低成本高可靠性的功率半導體器件及其制備方法，其有源區(qū)內的元胞采用溝槽結構；有源區(qū)內包括襯底元胞溝槽以及元胞邊緣溝槽，元胞邊緣溝槽的寬度大于襯底元胞溝槽的寬度；在元胞邊緣溝槽槽底的正下方設置元胞邊緣溝槽第二導電類型摻雜區(qū)，在元胞邊緣溝槽的兩側設置襯底第二導電類型體區(qū)；在元胞邊緣溝槽內填充有邊緣溝槽導電多晶硅以及襯底絕緣介質層，襯底源極金屬層支撐在襯底絕緣介質層上，襯底源極金屬層與襯底第二導電類型基區(qū)、襯底第一導電類型源區(qū)以及元胞邊緣溝槽兩側的襯底第二導電類型體區(qū)歐姆接觸。本發(fā)明能提高終端區(qū)域的擊穿電壓，降低制造成本，提高功率半導體器件的UIS能力，與現(xiàn)有工藝兼容，安全可靠。