逆導(dǎo)型IGBT器件的制造方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN202010260320.6 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111415984A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-07-14 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111415984A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-07-14 |
| 分類號(hào) | H01L29/417(2006.01)I | 分類 | - |
| 發(fā)明人 | 吳凱;白玉明;楊飛;張廣銀;朱陽(yáng)軍 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 南京芯長(zhǎng)征科技有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 蘇州國(guó)誠(chéng)專利代理有限公司 | 代理人 | 南京芯長(zhǎng)征科技有限公司 |
| 地址 | 211100江蘇省南京市江寧區(qū)蘇源大道19號(hào)九龍湖國(guó)際企業(yè)總部園A2座10層 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種制造方法，尤其是一種逆導(dǎo)型IGBT器件的制造方法，屬于逆導(dǎo)型IGBT器件的技術(shù)領(lǐng)域。采用常規(guī)激光退火工藝對(duì)襯底背面注入的第一導(dǎo)電類型離子注入層進(jìn)行局部激活，然后通過(guò)減薄的方式去除未激活的第一導(dǎo)電類型離子注入層，再通過(guò)背面第二導(dǎo)電型雜質(zhì)離子注入和爐管退火形成第二導(dǎo)電類型激活區(qū)。由于爐管退火的激活率遠(yuǎn)低于激光退火，因此在第一導(dǎo)電類型激活區(qū)中注入的第二導(dǎo)電類型雜質(zhì)離子在經(jīng)過(guò)爐管退火激活之后不會(huì)完全補(bǔ)償?shù)舻谝粚?dǎo)電類型激活區(qū)中的第一導(dǎo)電類型離子，從而可以不通過(guò)光刻的方式即可形成逆導(dǎo)型IGBT所需的交替排列的N型區(qū)和P型區(qū)，降低了器件制造成本，工藝步驟簡(jiǎn)單，與現(xiàn)有工藝兼容，安全可靠。?? |
