跨芯板層凹槽基板的制作方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202111125940.X 申請日 -
公開（公告）號 CN114040572A 公開（公告）日 2022-02-11
申請公布號 CN114040572A 申請公布日 2022-02-11
分類號 H05K3/00（2006.01）I;H05K3/30（2006.01）I;H05K3/46（2006.01）I 分類 其他類目不包含的電技術;
發(fā)明人 吳少暉;郭沐杰 申請（專利權）人 安捷利美維電子（廈門）有限責任公司
代理機構 廣州市越秀區(qū)哲力專利商標事務所（普通合伙） 代理人 王忠浩
地址 361026福建省廈門市海滄區(qū)海滄大道567號廈門中心E座26F
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明公開了一種跨芯板層凹槽基板的制作方法，將單面芯板標記為N層，制作對位標靶，不制作圖形；銅箔作為N+1層，參照N層制作出N+1層標靶，選取N與N+1層之間介質層，制作標靶；將雙面膠帶大粘力面貼合到介質層，凹槽位置開窗切割；壓合形成雙面板，膠帶小粘力面朝向N+1層，盲孔加工和圖形制作；選取N+1與N+2層之間介質層并制作標靶；將雙面膠帶大粘力面貼合到介質層，開窗切割；疊加介質層、N?1層銅箔，壓合成四層板，膠帶粘力小面朝向N+2層；進行盲孔加工、圖形制作，按照正常流程制作其余流程，直至完成最外層的阻焊、字符制作；激光燒蝕，進行凹槽位置開蓋，分別將N+1、N+2層的凹槽蓋子揭掉，露出跨過整板的芯板層的、深度達至N+1、N+2層的凹槽。