一種半導(dǎo)體器件制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910147136.8 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開（公告）號(hào) | CN111627998A | 公開（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111627998A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號(hào) | H01L29/78(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 魏峰;陳蕾;甘新慧;蔣正勇;盛況;郭清 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無錫華潤(rùn)微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 無錫華潤(rùn)微電子有限公司;浙江大學(xué) |
| 地址 | 214135江蘇省無錫市太湖國(guó)際科技園菱湖大道180號(hào)-6 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本申請(qǐng)涉及一種半導(dǎo)體器件制備方法，包括：提供第一導(dǎo)電類型碳化硅襯底；在碳化硅襯底上形成硬掩膜，對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行第一次離子注入形成多個(gè)第二導(dǎo)電類型埋層；去除硬掩膜，在碳化硅襯底上形成光刻膠層，對(duì)碳化硅襯底進(jìn)行第二次離子注人以在埋層上方的碳化硅襯底的表層形成多個(gè)與埋層連接的第二導(dǎo)電類型阱區(qū)，第二次離子注入為傾斜注入；垂直對(duì)阱區(qū)進(jìn)行第三次離子注入，在阱區(qū)內(nèi)形成源區(qū)，源區(qū)具有第一導(dǎo)電類型。通過上述三次離子注入，并在第二次離子注入時(shí)控制注入角度，自對(duì)準(zhǔn)地形成溝道，制備工藝簡(jiǎn)單且靈活性更高。?? |
