一種碳化硅器件制備方法
基本信息
| 申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910145356.7 | 申請(qǐng)日 | - |
| 公開(kāi)（公告）號(hào) | CN111627802A | 公開(kāi)（公告）日 | 2020-09-04 |
| 申請(qǐng)公布號(hào) | CN111627802A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-09-04 |
| 分類號(hào) | H01L21/04(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 朱家從;蔣正勇;計(jì)建新;張偉民;盛況;郭清 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 | 無(wú)錫華潤(rùn)微電子有限公司 |
| 代理機(jī)構(gòu) | 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 | 代理人 | 無(wú)錫華潤(rùn)微電子有限公司;浙江大學(xué) |
| 地址 | 214135江蘇省無(wú)錫市太湖國(guó)際科技園菱湖大道180號(hào)-6 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本發(fā)明涉及一種碳化硅器件制備方法，包括：提供碳化硅基底，碳化硅基底具有第一導(dǎo)電類型，在碳化硅基底的正面上形成硬掩膜，硬掩膜上開(kāi)設(shè)有注入窗口；對(duì)碳化硅基底進(jìn)行第二導(dǎo)電類型離子注入，使部分碳化硅基底晶格結(jié)構(gòu)被破壞，形成具有預(yù)設(shè)形貌的晶格損傷區(qū)，第二導(dǎo)電類型與第一導(dǎo)電類型具有相反的導(dǎo)電性能；利用腐蝕液對(duì)碳化硅基底進(jìn)行濕法刻蝕，以去除晶格損傷區(qū)內(nèi)的碳化硅，形成具有預(yù)設(shè)形貌的溝槽。通過(guò)離子注入形成晶格損傷區(qū)，再利用濕法刻蝕晶格損傷區(qū)形成溝槽，該刻蝕方法形成的溝槽不會(huì)出現(xiàn)微溝槽，且選擇離子注入的導(dǎo)電類型與基底的導(dǎo)電類型相反，可避免離子注入對(duì)基底摻雜濃度的影響。?? |
