半導(dǎo)體器件及其制造方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201911422248.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN113130500A 公開(kāi)（公告）日 2021-07-16
申請(qǐng)公布號(hào) CN113130500A 申請(qǐng)公布日 2021-07-16
分類(lèi)號(hào) H01L27/11521（2017.01）I;H01L21/28（2006.01）I 分類(lèi) 基本電氣元件;
發(fā)明人 于紹欣;馬鳳麟 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人 無(wú)錫華潤(rùn)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 代理人 虞凌霄
地址 214135江蘇省無(wú)錫市太湖國(guó)際科技園菱湖大道180號(hào)-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件及其制造方法。包括提供包括存儲(chǔ)單元源極區(qū)和位于存儲(chǔ)單元源極區(qū)之間的連接區(qū)的襯底；獲取第零多晶硅層；依次形成介質(zhì)層和第一多晶硅層，形成帶光刻圖形的光刻膠，光刻圖形露出存儲(chǔ)單元源極區(qū)和連接區(qū)的第一多晶硅層，通過(guò)第一次刻蝕去除露出的存儲(chǔ)單元源極區(qū)和連接區(qū)的第一多晶硅層，通過(guò)第二次刻蝕完全去除露出的存儲(chǔ)單元源極區(qū)和連接區(qū)的介質(zhì)層，通過(guò)第三次刻蝕去除所述光刻圖形露出的存儲(chǔ)單元源極區(qū)的第零多晶硅層。在第三次刻蝕過(guò)程中，通過(guò)設(shè)定多晶硅和二氧化硅的刻蝕選擇比，使得刻蝕后連接區(qū)至少保留部分柵氧層，保護(hù)襯底免受刻蝕損傷，在保持芯片集成度不變的情況下，提高了器件的良率與可靠性。