閃存存儲(chǔ)器的制備方法

基本信息

申請(qǐng)?zhí)?/td> CN201910419501.6 申請(qǐng)日 -
公開(kāi)（公告）號(hào) CN111968984A 公開(kāi)（公告）日 2020-11-20
申請(qǐng)公布號(hào) CN111968984A 申請(qǐng)公布日 2020-11-20
分類號(hào) H01L27/11524;H01L27/11529;H01L27/11531 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 馬鳳麟;于紹欣 申請(qǐng)（專利權(quán)）人 無(wú)錫華潤(rùn)微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無(wú)錫華潤(rùn)微電子有限公司
地址 214135 江蘇省無(wú)錫市太湖國(guó)際科技園菱湖大道180號(hào)-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種閃存存儲(chǔ)器的制備方法，包括以下步驟：提供半導(dǎo)體襯底，半導(dǎo)體襯底上定義有存儲(chǔ)區(qū)，存儲(chǔ)區(qū)包括若干存儲(chǔ)單元區(qū)、若干源接觸孔區(qū)以及若干淺溝槽區(qū)；在半導(dǎo)體襯底上依次沉積第一介質(zhì)層和第一多晶硅層，刻蝕第一多晶硅層，以去除部分淺溝槽區(qū)上方的第一多晶硅層，并保留覆蓋源接觸孔區(qū)上方的第一多晶硅層；依次沉積第二介質(zhì)層和第二多晶硅層，刻蝕第二多晶硅層、第二介質(zhì)層和第一多晶硅層，以在存儲(chǔ)單元區(qū)形成存儲(chǔ)單元結(jié)構(gòu)，并去除源接觸孔區(qū)上方的第一多晶硅層、第二介質(zhì)層和第二多晶硅層。由于源接觸孔區(qū)上方的第一多晶硅層被保留覆蓋，使得該區(qū)域內(nèi)不會(huì)形成凹坑，有效解決了因凹坑導(dǎo)致存儲(chǔ)單元源區(qū)與接觸塞之間接觸不良的問(wèn)題。