淺溝槽隔離方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201510640812.7 申請日 -
公開（公告）號 CN106558529B 公開（公告）日 2020-04-21
申請公布號 CN106558529B 申請公布日 2020-04-21
分類號 H01L21/762;H01L21/306 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 金興成;顧勇;范一平 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無錫華潤微電子有限公司
地址 214135 江蘇省無錫市無錫太湖國際科技園菱湖大道180號-22
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本發(fā)明涉及一種淺溝槽隔離方法，該淺溝槽隔離方法用于具有特殊高密度有源區(qū)的集成電路制造技術(shù)中，其中化學(xué)機(jī)械拋光的工序包括：利用第一研磨液對已沉積氧化硅薄膜的晶圓進(jìn)行第一次研磨，直至完全去除氮化硅層上的氧化硅薄膜時停止研磨；利用第二研磨液對第一次研磨后的晶圓進(jìn)行第二次研磨，直至所有溝槽內(nèi)的氧化硅薄膜表面被研磨平坦時停止研磨。其中，第一研磨液對氧化硅薄膜研磨的速率大于對氮化硅層研磨的速率；控制第二研磨液對氧化硅薄膜研磨的速率與對氮化硅層研磨的速率之比，以保證對相鄰的氧化硅薄膜和氮化硅層同時研磨時氧化硅薄膜不會出現(xiàn)凹陷。該淺溝槽隔離方法既能保證溝槽絕緣結(jié)構(gòu)表面被研磨后滿足均一性要求，又操作簡單、成本低。