二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN201811542384.4 申請日 -
公開（公告）號 CN111326589A 公開（公告）日 2020-06-23
申請公布號 CN111326589A 申請公布日 2020-06-23
分類號 H01L29/861(2006.01)I 分類 -
發(fā)明人 陳曉亮;陳天;錢忠健;金興成;于紹欣 申請（專利權(quán)）人 無錫華潤微電子有限公司
代理機(jī)構(gòu) 廣州華進(jìn)聯(lián)合專利商標(biāo)代理有限公司 代理人 無錫華潤微電子有限公司
地址 214135江蘇省無錫市太湖國際科技園菱湖大道180號-6
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 本申請涉及二極管結(jié)構(gòu)及其制備方法，該二極管結(jié)構(gòu)包括半導(dǎo)體襯底；阱區(qū)，具有第一導(dǎo)電類型，形成于半導(dǎo)體襯底內(nèi)；柵區(qū)，包括形成于部分阱區(qū)上的柵氧層和形成于柵氧層上的多晶硅柵層，多晶硅柵層具有第二導(dǎo)電類型，多晶硅柵層的費(fèi)米能級與半導(dǎo)體襯底的禁帶中心的能帶距離小于或等于0.3eV；及N型區(qū)和P型區(qū)，分別形成于柵區(qū)兩側(cè)的阱區(qū)內(nèi)。通過控制多晶硅柵層的功函數(shù)，使其費(fèi)米能級位于半導(dǎo)體襯底禁帶中心附近，減小多晶硅柵層與其下方阱區(qū)的功函數(shù)差，降低兩者之間的接觸電勢，可解決漏電流、耐壓不穩(wěn)定等問題。??