半導(dǎo)體器件及其形成方法

基本信息

申請?zhí)?/td> CN202011432877.X 申請日 -
公開（公告）號 CN112582476B 公開（公告）日 2022-05-06
申請公布號 CN112582476B 申請公布日 2022-05-06
分類號 H01L29/78（2006.01）I;H01L21/336（2006.01）I;H01L29/06（2006.01）I;H01L29/417（2006.01）I 分類 基本電氣元件;
發(fā)明人 不公告發(fā)明人 申請（專利權(quán)）人 全芯智造技術(shù)有限公司
代理機(jī)構(gòu) 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 代理人 武振華;張振軍
地址 230088安徽省合肥市高新區(qū)創(chuàng)新大道2800號創(chuàng)新產(chǎn)業(yè)園二期J2C棟13樓
法律狀態(tài) -

摘要

摘要 一種半導(dǎo)體器件及其形成方法，所述方法包括：提供半導(dǎo)體襯底；在所述半導(dǎo)體襯底的表面形成柵極結(jié)構(gòu)；形成第一介質(zhì)層，所述第一介質(zhì)層位于所述柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)，且所述第一介質(zhì)層的頂部表面低于所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部表面；形成第二介質(zhì)層，所述第二介質(zhì)層位于所述第一介質(zhì)層的表面以及位于所述柵極結(jié)構(gòu)的頂部兩側(cè)，且所述第二介質(zhì)層的寬度小于所述第一介質(zhì)層的寬度；去除所述第一介質(zhì)層，以暴露出所述第二介質(zhì)層下方的柵極結(jié)構(gòu)的側(cè)壁表面；形成源漏外延區(qū)，所述源漏外延區(qū)位于所述第二介質(zhì)層的兩側(cè)以及所述第二介質(zhì)層下方的柵極結(jié)構(gòu)的兩側(cè)。本發(fā)明可以有效降低工藝復(fù)雜度和生產(chǎn)成本，提高生產(chǎn)穩(wěn)定性和器件性能。