一種硅或其氧化物原位長(zhǎng)碳納米管的方法
基本信息
申請(qǐng)?zhí)?/td> | CN201910278986.1 | 申請(qǐng)日 | - |
公開(公告)號(hào) | CN111799448A | 公開(公告)日 | 2020-10-20 |
申請(qǐng)公布號(hào) | CN111799448A | 申請(qǐng)公布日 | 2020-10-20 |
分類號(hào) | H01M4/36(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
發(fā)明人 | 謝寶東;徐壯;周葉;毛鷗;鄭濤;張美杰 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人 | 江蘇天奈科技股份有限公司 |
代理機(jī)構(gòu) | 北京維正專利代理有限公司 | 代理人 | 江蘇天奈科技股份有限公司 |
地址 | 212000江蘇省鎮(zhèn)江市新區(qū)青龍山路113號(hào) | ||
法律狀態(tài) | - |
摘要
摘要 | 本發(fā)明公開了一種硅或其氧化物原位長(zhǎng)碳納米管的方法,包括以下步驟:(1)將金屬鹽催化劑溶于溶劑中得到混合溶液;(2)在混合溶液中加入硅或硅的氧化物或其混合物混合均勻;(3)將步驟(2)制備好的溶液進(jìn)行噴霧干燥,使催化劑金屬均勻地包覆在硅或硅的氧化物表面;(4)在惰性氣體氣氛下煅燒步驟(3)得到的產(chǎn)物,煅燒溫度為400?1200℃;(5)采用化學(xué)氣相沉積法在硅或硅的氧化物表面原位長(zhǎng)出碳納米管,得到的硅及其氧化物上長(zhǎng)的碳納米管長(zhǎng)徑比大,電循環(huán)性能優(yōu)異。?? |
