一種半導(dǎo)體封裝件以及電子元件
基本信息
| 申請?zhí)?/td> | CN201922298745.1 | 申請日 | - |
| 公開（公告）號 | CN210722995U | 公開（公告）日 | 2020-06-09 |
| 申請公布號 | CN210722995U | 申請公布日 | 2020-06-09 |
| 分類號 | H01L23/31(2006.01)I | 分類 | 基本電氣元件; |
| 發(fā)明人 | 華菲 | 申請（專利權(quán)）人 | 寧波施捷電子有限公司 |
| 代理機構(gòu) | 北京品源專利代理有限公司 | 代理人 | 寧波施捷電子有限公司 |
| 地址 | 315824浙江省寧波市北侖區(qū)新碶明州西路491號1幢1號-63-1 | ||
| 法律狀態(tài) | - | ||
摘要
| 摘要 | 本實用新型提供了一種半導(dǎo)體封裝件以及電子元件，所述半導(dǎo)體封裝件包括：芯片：包括第一表面以及與第一表面相對的第二表面；基板：與芯片的第二表面接置并電性相連；散熱系統(tǒng)：包括層疊設(shè)置的導(dǎo)熱層和散熱蓋，所述導(dǎo)熱層在遠離所述散熱蓋的一側(cè)的表面與芯片的第一表面相連；密封層：環(huán)設(shè)在所述芯片和導(dǎo)熱層的外周緣；通過在芯片和導(dǎo)熱層外周緣設(shè)置密封層，從而將導(dǎo)熱層和芯片密閉起來形成密閉結(jié)構(gòu)，使其在使用過程中，該密閉結(jié)構(gòu)能夠有效避免導(dǎo)熱層因融化泄露，而后在冷凝回縮后形成空洞，從而影響芯片的散熱效果和使用壽命。?? |
